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Modulo FModulo fotovoltaico pallet 26 pezzi 3SUN B60 LE 3SHBGH-CC-625 N-type HJT Bifacciale
3SUN B60 LE 3SHBGH-CC-625, Modulo HJT Bifacciale Tipo N. Il 3SUN B60 LE è un modulo fotovoltaico bifacciale vetro-vetro di alta qualità con elevate proprietà meccaniche.
Utilizzando la tecnologia a eterogiunzione 3SUN CORE-H®, questi moduli sfruttano la luce su entrambe le superfici del modulo, garantendo una maggiore efficienza energetica e perdite minime in caso di surriscaldamento e temperature elevate.
La potenza nominale consente l'installazione di un numero inferiore di moduli della stessa dimensione in un impianto fotovoltaico e l'efficienza del modulo è elevata, a partire dal 21,6%.
Caratteristiche:
Coefficiente di temperatura di -0,26%/°C a P max.
Carico meccanico massimo di 5400 Pa testato sulla parte anteriore del modulo.
Garanzia prodotto: 15 anni.
Garanzia di rendimento: 30 anni (2% il primo anno, poi 0,40% annuo). Costi di esercizio e manutenzione ridotti.Fotovoltaico 3SUN B60 LE 3SHBGH-CC-625 N-type HJT Bifacciale
DATI TECNICI
Module Efficiency (%) 22,3
Spessore (mm) 35
Altezza (mm) 2172
Larghezza (mm) 1303
Module Peak Power (Wp) 625
Garanzia 15
Frame Color SILVER
Backsheet GLASS
Tipo di cella N-Type HJT
Tipo di vetroDual Glass
EU Category A
Celle solari 3SUN CORE-H®

Il massimo per i rendimenti energetici e lo sviluppo della tecnologia fotovoltaica.
La tecnologia 3SUN CORE-H® permette di sfruttare al meglio la luce solare su entrambe le superfici del modulo e oltrepassare i limiti delle principali tecnologie PERC, PERT e TOPCon presenti sul mercato
Dettaglio delle celle solari
Griglia metallica di conduzione
TCO - Strato trasparente conduttivo
Silicio amorfo (a-Si:H)
Silicio cristallino N-type
Silicio amorfo (p a-Si:H)
Silicio amorfo (a-Si:H)
Silicio amorfo (n a-Si:H)
Nelle nostre celle, nessun dettaglio è lasciato al caso
TCO - Strato conduttivo trasparente
Innovativo strato antiriflesso, trasparente e conduttivo, ottimizzato per trasmettere al meglio la luce solare e convogliare le cariche elettriche generate verso le griglie di conduzione
Silicio amorfo p/n a-Si:H
Strati di silicio amorfo P e N, che massimizzano l’energia generata e la conduzione delle cariche elettriche, prevenendo dispersioni ed evitando la loro ricombinazione alle interfacce
Silicio cristallino n-type
Wafer di silicio ultrasottile di tipo N, che consente elevate performance, stabilità e basso impatto ambientale
Griglia metallica di conduzione
Tecnologia multi bus bar a griglia ultrafine che serve a ridurre al minimo le perdite resistive potenziando la raccolta delle cariche elettriche
Silicio amorfo a-Si:H
Microlayer che migliorano la tensione in uscita. Utilizzando il meccanismo del tunneling quantistico, danno origine a una giunzione perfetta con il silicio cristallino, da cui l’espressione “etero-giunzione”